Syllabus 2014/2015
 
Extrait PDF Anglais
Français
index
Module : PH310
Titre :
Modélisation des composants
Volumes horaires :
Cours : 18.00 h
Travail Individuel : 18.00 h
Travaux Pratiques : 15.00 h
Crédits ECTS :
2.50
Niveau :
module de troisième année
Résumé :
Ce module présente les techniques de réalisation des modèles compacts utilisés dans les simulateurs électriques de composants comme SPICE. Les modèles de transistors bipolaires et MOS couramment utilisés dans l'industrie de la microélectronique sont présentés. Les techniques d'extraction des paramètres des modèles sont aussi analysées. Le cours est complété par un stage pratique de 5 demi journées au laboratoire IXL sur la lmodélisation comportementale des fonctions électroniques analogiques.
Plan :
  1. Physique du transistor MOSFET
  2. Modèle de Gummel Poon du transistor bipolaire
  3. Modèle HiCUM du transistor Bipolaire
  4. Modèle BSIM3v3 du transistor MOS
  5. Simulateur ICCAP et techniques d'extraction des paramètres des modèles
  6. TP d'extraction sur banc de test sous pointe à IXL
  7. Langage VHDL-AMS
  8. Modélisation comportementale VHDL-AMS de fonctions électroniques RF
Prérequis :
Cours de physique du composant de 1ere année
Document(s) :
polycopiés
Mot(s) clé(s) :
MOSFET, BJT, Gummel-Poon, HICUM, BSIM3v3, VHDL-AMS, ICCAP